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2SB817

更新时间： 2024-02-10 11:59:10

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锦美电子 - JMNIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	87K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB817 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	12 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	120 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SB817 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB817

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type 2SD1047

APPLICATIONS

·140V/12A AF 60W output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-160

-140

-6

UNIT

Open base

Open collector

Collector current (DC)

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-12

I_CM

-15

P_C

T_C=25℃

100

℃

T_j

150

T_stg

-40~150

12 3 4

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