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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 25 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 170 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 110 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.35 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB811J | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB811M | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| 2SB812 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB812 | ISC |
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isc Silicon PNP Power Transistor |
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| 2SB815 | KEXIN |
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PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors |
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| 2SB815 | SANYO |
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For General-Purpose AF Amplifier |
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| 2SB815 | TYSEMI |
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Ultrasmall package allows miniaturization in end products. low-saturation voltage. |
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| 2SB815 | ONSEMI |
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Bipolar Transistor |
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| 2SB8156 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 700MA I(C) | SOT-23 |
|
| 2SB815-6-TB-E | ONSEMI |
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Bipolar Transistor |
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