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2SB817

更新时间： 2024-01-11 04:41:40

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1页	66K
描述
Complementary Silicon Power Ttransistors

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2SB817 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.6	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	12 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	100	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	120 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

2SB817 数据手册

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD

Product specification

Complementary Silicon Power Ttransistors

2SD1047 / 2SB817

DESCRIPTION

It is intented for use in power

amplifier and switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

( Ta = 25 C)

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Value Unit

Symbol

V_CBO

160

V_CEO

V_EBO

I_C

140

6.0

Base Current

I_B

1.2

100

150

Total Dissipation at

P_tot

T_j

^oC

Max. Operating Junction Temperature

Storage Temperature

TO-3PN

T_stg

-55~150 ^oC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( Ta = 25 ^OC)

Parameter

Symbol

I_CEO

Test Conditions

Min.

—

Typ.

—

Max. Unit

Collector Cut-off Current

V_CB=140V, I_E=0

V_EB=6V, I_C=0

Emitter Cut-off Current

I_EBO

—

Collector-Emitter Sustaining Voltage

V_CEOI_C=30mA, I_B=0

140

—

h_FE1

h_FE2

V_CE(sat)

V_BE

V_CE=5.0V, I_C=1.0A

V_CE=5.0V, I_C=6.0A

I_C=5.0A,I_B=0.5A

200

—

DC Current Gain

—

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

2.5

1.5

—

V_CE=5.0V,I_C=1.0A

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

—

Current Gain Bandwidth Product

Collector Output Capacitance

f_T

300

MHz

—

C_OB

Note : hfe1 Classification D: 60~120, E: 100~200

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SB817_2014	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
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