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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.6 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 12 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 120 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB817E | TAITRON |
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Power Transistor (PNP) |
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| 2SB817F | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 140V V(BR)CEO | 12A I(C) | SOT-186VAR |
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| 2SB817P | ETC |
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| 2SB817PD | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 140V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-247VAR |
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| 2SB817PE | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 140V V(BR)CEO | 12A I(C) | TO-247VAR |
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| 2SB819 | PANASONIC |
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Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency output amplification) |
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| 2SB819Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SC-71 |
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| 2SB819R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 40V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SC-71 |
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| 2SB821 | ROHM |
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Transistor |
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| 2SB821/Q | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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