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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB822
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2SB822

更新时间： 2024-09-25 22:35:55
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 132K
描述
Medium power Transistor(-32V, -2A)

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2SB822 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：32 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.75 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2SB822 数据手册

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Transistors  
Medium power Transistor(*32V,*2A)  
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 /  
2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M  
FFeatures  
FExternal dimensions (Unit: mm)  
1) Low VCE(sat).  
VCE(sat) = *0.5V (Typ.)  
(IC / IB = *2A / *0.2A)  
2) Complements the 2SD1766 /  
2SD1758 / 2SD1862 / 2SD1189F /  
2SD1055 / 2SD1919 / SD1227M.  
FStructure  
Epitaxial planar type  
PNP silicon transistor  
(96-131-B24)  
215  
1234

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