2SB816

更新时间： 2024-11-26 06:19:59

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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4页	201K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB816 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.81

2SB816 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB816

DESCRIPTION

·With TO-3PN package

·Complement to type 2SD1046

·Wide area of safe operation

APPLICATIONS

·For LF Power Amplifier, 50W Output

Large Power Switching Applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-150

-120

-6

UNIT

Open base

Open collector

-8

I_CP

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-12

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-40~150

12 3 4

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