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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3PB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | 其他特性： | BUILT-IN BALLAST RESISTANCE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 8 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 140 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB816E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR |
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| 2SB817 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB817 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB817 | TGS |
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Complementary Silicon Power Ttransistors |
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| 2SB817 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(12A,140V,100W) |
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| 2SB817 | Wing Shing |
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PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) |
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| 2SB817 | SANYO |
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140V/12A, AF 60W Output Applications |
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| 2SB817 | SAVANTIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB817 | NJSEMI |
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Trans GP BJT PNP 140V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3PB |
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| 2SB817 | FOSHAN |
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TO-3P |
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