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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3PB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.74 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT-IN BALLAST RESISTANCE | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 120 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 140 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 15 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB816_15 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB816_2014 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB816D | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR |
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| 2SB816E | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR |
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| 2SB817 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB817 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB817 | TGS |
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Complementary Silicon Power Ttransistors |
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| 2SB817 | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(12A,140V,100W) |
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| 2SB817 | Wing Shing |
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PNP PLANAR SILICON TRANSISTOR(AUDIO POWER AMPLIFIER DC TO DC CONVERTER) |
|
| 2SB817 | SANYO |
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140V/12A, AF 60W Output Applications |
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