2SB779TSK

更新时间： 2024-11-25 12:58:39

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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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2SB779TSK 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	90
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

2SB779TSK 数据手册

Transistor

2SB779

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency output amplification

Unit: mm

2.8 –⁺0⁰.^.3²

1.5 –⁺0⁰.^.0²5⁵

0.65±0.15

Features

■

0.65±0.15

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Satisfactory linearity of h_FEat the low collector voltage.

Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–25

Unit

0.1 to 0.3

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

0.4±0.2

–20

–7

–1

1:Base

2:Emitter

3:Collector

JEDEC:TO–236

EIAJ:SC–59

Mini Type Package

I_C

– 0.5

200

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

Marking symbol : 1A

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–100

–1

Unit

µA

V_CB= –25V, I_E= 0

V_CE= –20V, I_B= 0

Collector cutoff current

I_CEO

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= –10µA, I_E= 0

–25

–20

–7

I_C= –1mA, I_B= 0

I_E= –10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= –2V, I_C= –0.5A^*2

V_CE= –2V, I_C= –1A^*2

220

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= –500mA, I_B= –50mA^*2

V_CB= –10V, I_E= 50mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

– 0.2

– 0.4

–1.2

Transition frequency

f_T

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

^*2Pulse measurement

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

90 ~ 155

1AQ

130 ~ 220

1AR

Marking Symbol

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB786	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-126ISO
2SB786F	ETC	获取价格
2SB786FA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 40V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-126
2SB788	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type(For high breakdown voltage low-noise amplification)
2SB788R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 20MA I(C) \| SC-71
2SB788S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 20MA I(C) \| SC-71
2SB788T	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 20MA I(C) \| SC-71
2SB789	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency driver amplification)
2SB789A	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-frequency driver amplification)
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