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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB789H
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2SB789H

更新时间： 2024-11-25 12:58:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体驱动器小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 41K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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2SB789H 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.84
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：65JESD-30 代码：R-PSSO-F3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：120 MHzBase Number Matches：1

2SB789H 数据手册

 浏览型号2SB789H的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SB789, 2SB789A  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For low-frequency driver amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SD968 and 2SD968A  
1.5±0.1  
4.5±0.1  
1.6±0.2  
Features  
High collector to emitter voltage VCEO  
■
●
.
●
Large collector power dissipation PC.  
45°  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
0.4±0.08  
0.4±0.04  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
–100  
–120  
–100  
–120  
–5  
Unit  
0.5±0.08  
1.5±0.1  
Collector to  
2SB789  
2SB789A  
2SB789  
3.0±0.15  
VCBO  
V
base voltage  
Collector to  
3
2
1
VCEO  
V
emitter voltage 2SB789A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
marking  
VEBO  
ICP  
V
A
–1  
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
IC  
–0.5  
A
EIAJ:SC–62  
*
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
1
W
˚C  
˚C  
Mini Power Type Package  
Tj  
150  
(2SB789)  
Marking symbol : D  
Tstg  
–55 ~ +150  
(2SB789A)  
E
Printed circuit board: Copper foil area of 1cm2 or more, and the board  
thickness of 1.7mm for the collector portion  
*
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Collector to emitter 2SB789  
voltage 2SB789A  
Symbol  
Conditions  
IC = –100µA, IB = 0  
min  
–100  
–120  
–5  
typ  
max  
Unit  
V
VCEO  
Collector to base voltage  
VEBO  
IE = –10µA, IC = 0  
CE = –10V, IC = –150mA  
V
*
hFE1  
V
90  
220  
Forward current transfer ratio  
hFE2  
VCE = –5V, IC = –500mA  
50  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
IC = –500mA, IB = –50mA  
IC = –500mA, IB = –50mA  
VCB = –10V, IE = 50mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
– 0.2  
– 0.6  
–1.2  
V
V
– 0.85  
120  
Transition frequency  
fT  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
30  
*hFE1 Rank classification  
Rank  
hFE1  
Q
R
90 ~ 155  
DQ  
130 ~ 220  
DR  
2SB789  
Marking  
Symbol  
2SB789A  
EQ  
ER  
1
12

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