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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SB792A
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2SB792A

更新时间： 2024-11-24 22:27:15
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
2页 40K
描述
Silicon PNP epitaxial planer type

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2SB792A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.81其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：185 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：130
JEDEC-95代码：TO-236JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

2SB792A 数据手册

 浏览型号2SB792A的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SB792, 2SB792A  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For high breakdown voltage low-noise amplification  
Complementary to 2SD814  
Unit: mm  
2.8 +–00..32  
0.65±0.15  
1.5 –+00..0255  
0.65±0.15  
Features  
High collector to emitter voltage VCEO  
■
●
.
●
●
Low noise voltage NV.  
1
2
Mini type package, allowing downsizing of the equipment and  
automatic insertion through the tape packing and the magazine  
packing.  
3
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
Ratings  
–150  
–185  
–150  
–185  
–5  
Unit  
Collector to  
2SB792  
2SB792A  
2SB792  
0.1 to 0.3  
VCBO  
V
0.4±0.2  
base voltage  
Collector to  
VCEO  
V
emitter voltage 2SB792A  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
VEBO  
ICP  
IC  
V
mA  
mA  
mW  
˚C  
1:Base  
2:Emitter  
JEDEC:TO–236  
EIAJ:SC–59  
–100  
–50  
3:Collector  
Mini Type Package  
(2SB792)  
Marking symbol : I  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
200  
(2SB792A)  
2F  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
Collector cutoff current  
VCB = –100V, IE = 0  
–1  
µA  
Collector to emitter 2SB792  
–150  
–185  
–5  
VCEO  
VEBO  
IC = –100µA, IB = 0  
IE = –10µA, IC = 0  
V
V
voltage  
2SB792A  
Emitter to base voltage  
Forward current  
transfer ratio  
2SB792  
130  
130  
450  
330  
–1  
*
hFE  
VCE = –5V, IC = –10mA  
2SB792A  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = –30µA, IB = –3mA  
V
MHz  
pF  
Transition frequency  
fT  
VCB = –10V, IE = 10mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
VCE = –10V, IC = –1mA, GV = 80dB,  
Rg = 100kΩ, Function = FLAT  
200  
4
Collector output capacitance  
Cob  
Noise voltage  
NV  
150  
mV  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
R
S
T
130 ~ 220  
IR  
185 ~ 330  
IS  
260 ~ 450  
2SB792  
IT  
—
Marking  
Symbol  
2SB792A  
2FR  
2FS  
1
12

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