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2SB792A-R

更新时间： 2024-02-22 01:04:59

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PNP Transistors

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2SB792A-R 数据手册

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SMD Type

Transistors

PNP Transistors

2SB792A

SOT-23-3

Unit: mm

+0.2

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

3

■ Features

● High collector to emitter voltage VCEO

● Low noise voltage NV

.

1

2

+0.02

-0.02

+0.1

-0.1

0.15

0.95

● Complimentary to 2SD814A

+0.1

-0.2

1.9

1. Base

2. Emitter

3. Collector

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector - Base Voltage

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Symbol

Rating

-185

-185

-5

Unit

V

VCBO

VCEO

VEBO

Collector Current - Continuous

Collector Current - Pulse

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

I

C

-50

mA

mW

℃

I

CP

-100

200

P

C

T

J

150

Storage Temperature range

T

stg

-55 to 150

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test Conditions

Ic= -100 μA， I =0

Ic= -1 mA， I =0

= -100μA， I =0

CB= -120 V , I =0

Min

-185

-185

-5

Typ

Max

Unit

V

Collector- base breakdown voltage

Collector- emitter breakdown voltage

Emitter - base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Emitter cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

E

B

I

E

C

I

CBO

EBO

V

V

E

-1

-1

uA

V

I

EB= -4V , I

=-30mA, I

C=0

Collector-emitter saturation voltage

Base - emitter saturation voltage

DC current gain

V

CE(sat)

BE(sat)

I

C

B

B

=-3mA

-1

V

I

C

=-30mA, I

^CE= -5V, I

^CE= –10V, I

=-3mA

-1.2

330

hFE

V

C

= -10mA

= –1mA, G

= 100kΩ , Function = FLAT

130

V

C

V =80dB,

Noise voltage

NV

150

mV

Rg

Collector output capacitance

Transition frequency

C

ob

T

V

V

^CB= -10V, I

CE= -10V, I

E

= 0,f=1MHz

= 10mA,f=200MHz

4

pF

f

E

200

MHz

■ Classification of hfe

Type

Range

Marking

2SB792A-R

130-220

2FR

2SB792A-S

185-330

2FS

1

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB792A-R-HF	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
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