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2SB790R

更新时间： 2024-01-17 14:05:44
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其他 - ETC 晶体晶体管
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3页 65K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SC-71

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2SB790R 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.84最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：20 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：130JESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.6 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

2SB790R 数据手册

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Transistor  
2SB0790 (2SB790)  
Silicon PNP epitaxial planer type  
For low-frequency output amplification  
Complementary to 2SD0969 (2SD969)  
Unit: mm  
6.9 0.1  
2.5 0.1  
1.0  
1.5  
1.5 R0.9  
Features  
I
G
R0.9  
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
G
M type package allowing easy automatic and manual insertion as  
well as stand-alone fixing to the printed circuit board.  
R0.7  
0.85  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
I
0.55 0.1  
0.45 0.05  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
–25  
Unit  
V
3
2
1
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–20  
V
–7  
V
2.5  
2.5  
–1  
A
IC  
– 0.5  
600  
A
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
EIAJ:SC–71  
M Type Mold Package  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
mW  
˚C  
˚C  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
I
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–100  
–1  
Unit  
nA  
µA  
V
VCB = –25V, IE = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = –20V, IB = 0  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC = –10µA, IE = 0  
–25  
–20  
–7  
IC = –1mA, IB = 0  
V
IC = –10µA, IC = 0  
V
VCE = –2V, IC = –0.5A*2  
VCE = –2V, IC = –1A*2  
IC = –500mA, IB = –50mA*2  
IC = –500mA, IB = –50mA*2  
90  
220  
*1  
hFE1  
hFE2  
Forward current transfer ratio  
25  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
– 0.4  
–1.2  
V
V
Transition frequency  
fT  
VCB = –10V, IE = 50mA, f = 200MHz  
VCB = –10V, IE = 0, f = 1MHz  
150  
15  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
25  
*2 Pulse measurement  
*1  
h
Rank classification  
FE1  
Rank  
hFE1  
Q
R
90 ~ 155  
130 ~ 220  
Note.) The Part number in the Parenthesis shows conventional part number.  
1
123

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