2SB789AH

更新时间： 2024-11-25 12:59:47

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松下 - PANASONIC		晶体驱动器小信号双极晶体管光电二极管放大器
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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2SB789AH 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.84
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	65	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	120 MHz	Base Number Matches：	1

2SB789AH 数据手册

Transistor

2SB789, 2SB789A

Silicon PNP epitaxial planer type

For low-frequency driver amplification

Unit: mm

Complementary to 2SD968 and 2SD968A

1.5±0.1

4.5±0.1

1.6±0.2

Features

High collector to emitter voltage V_CEO

■

●

Large collector power dissipation P_C.

45°

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

0.4±0.08

0.4±0.04

Parameter

Symbol

Ratings

–100

–120

–100

–120

–5

Unit

0.5±0.08

1.5±0.1

Collector to

2SB789

2SB789A

2SB789

3.0±0.15

V_CBO

base voltage

Collector to

V_CEO

emitter voltage 2SB789A

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

marking

V_EBO

I_CP

–1

1:Base

2:Collector

3:Emitter

I_C

–0.5

EIAJ:SC–62

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

˚C

Mini Power Type Package

T_j

150

(2SB789)

Marking symbol : D

T_stg

–55 ~ +150

(2SB789A)

Printed circuit board: Copper foil area of 1cm²or more, and the board

thickness of 1.7mm for the collector portion

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Collector to emitter 2SB789

voltage 2SB789A

Symbol

Conditions

I_C= –100µA, I_B= 0

min

–100

–120

–5

typ

max

Unit

V_CEO

Collector to base voltage

V_EBO

I_E= –10µA, I_C= 0

_CE= –10V, I_C= –150mA

h_FE1

220

Forward current transfer ratio

h_FE2

V_CE= –5V, I_C= –500mA

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= –500mA, I_B= –50mA

V_CB= –10V, I_E= 50mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

– 0.2

– 0.6

–1.2

– 0.85

120

Transition frequency

f_T

MHz

Collector output capacitance

Cob

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

90 ~ 155

130 ~ 220

2SB789

Marking

Symbol

2SB789A

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