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2SB707_2014

更新时间： 2022-02-26 13:39:38

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB707_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB707 2SB708

CHARACTERISTICS

Tj=25℃ unless otherwise specified

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN

-60

-80

TYP.

MAX

UNIT

2SB707

2SB708

Collector-emitter

breakdown voltage

V_(BR)CEO

I_C=-10mA; I_B=0

V_CEsat

V_BEsat

I_CBO

Collector-emitter saturation voltage I_C=-5A;I_B=-0.5 A

-0.5

-1.5

-10

Base-emitter saturation voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

I_C=-5A;I_B=-0.5 A

V_CB=-60V; I_E=0

V_EB=-5V; I_C=0

μA

I_EBO

-10

h_FE-1

I_C=-3A ; V_CE=-1V

I_C=-5A ; V_CE=-1V

200

h_FE-2

DC current gain

h_FE-2classifications

40-80

60-120

100-200

123

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SB707L	ETC	BJT	获取价格
2SB707M	ETC	BJT	获取价格
2SB708	JMNIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
2SB708	SAVANTIC	Silicon PNP Power Transistors	获取价格
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