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2SB709A

更新时间： 2024-02-14 08:45:42

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金誉半导体 - HTSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	414K
描述
TRANSISTOR(PNP)

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2SB709A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.48
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	290
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SB709A 数据手册

2SB709A

TRANSISTOR(PNP)

SOT-23

FEATURES

1. ^BASE

For general amplification

2. ^EMITTER

3. ^COLLECTOR

Complementary to 2SD601A

MAXIMUM RATINGS (T_A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Value

Units

-45

-7

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

-100

200

℃

P_C

T_J

150

Storage Temperature

T_stg

-55-150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

-45

-7

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

V_(BR)CBO

I_C= -10 μA, I_E=0

V_(BR)CEOI_C= -2mA, I_B=0

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

V_(BR)EBO

I_E= -10 μA, I_C=0

I_CBO

I_CEO

V_CB= -20 V, I_E=0

V_CE= -10V, I_B=0

-0.1

μA

Collector cut-off current

-100

DC current gain

h_FE

V_CE= -10V,I_C= -2mA

160

460

-0.5

Collector-emitter saturation voltage

V_CE(sat) I_C=-100 mA, I_B= -10mA

V_CE= -10V, I_C= -1mA

Transition frequency

MHz

f_T

f=200MHz

V_CB= -10V, I_E= 0

Collector output capacitance

2.7

C_ob

f=1MHz

CLASSIFICATION OF H_FE

Rank

210-340

290-460

Range

160-260

BQ1

Marking

BR1

BS1

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

12 3

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