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2SB709A_15

更新时间： 2022-02-26 11:35:41
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科信 - KEXIN /
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描述
PNP Transistors

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2SB709A_15 数据手册

 浏览型号2SB709A_15的Datasheet PDF文件第2页 
SMD Type  
Transistors  
PNP Transistors  
2SB709A  
SOT-23  
Unit: mm  
+0.1  
-0.1  
2.9  
0.4  
+0.1  
-0.1  
■ Features  
3
● For general amplification  
● Complimentary to 2SD601A.  
1
2
+0.1  
-0.1  
+0.05  
-0.01  
0.95  
0.1  
+0.1  
-0.1  
1.9  
1.Base  
2.Emitter  
3.collector  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃  
Parameter  
Collector - Base Voltage  
Collector - Emitter Voltage  
Emitter - Base Voltage  
Symbol  
Rating  
-45  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
-45  
-7  
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
I
C
-100  
200  
150  
mA  
P
C
mW  
T
J
℃
Storage Temperature range  
T
stg  
-55 to 150  
■ Electrical Characteristics Ta = 25℃  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Ic= -100 μA， I =0  
Ic= -2 mA， I =0  
= -100μA， I  
Min  
-45  
-45  
-7  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector- base breakdown voltage  
Collector- emitter breakdown voltage  
Emitter - base breakdown voltage  
Collector-base cut-off current  
Collector-Emitter cut-off current  
Emitter cut-off current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
E
B
I
E
C
=0  
ICBO  
ICEO  
I
EBO  
V
V
V
CB= -40 V , I  
CE= -20 V , I  
EB= -6V , I  
E
=0  
=0  
-0.1  
-100  
-0.1  
-0.5  
-1.2  
460  
2.7  
uA  
V
B
C
=0  
Collector-emitter saturation voltage  
Base - emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
I
I
C
=-100 mA, I  
B
=-10mA  
=-10mA  
V
C=-100 mA, I  
B
hFE  
V
V
V
CE= -10V, I  
CB= -10V, I  
CE= -10V, I  
C
= -2mA  
160  
60  
Collector output capacitance  
Transition frequency  
C
ob  
T
E
C
= 0,f=1MHz  
pF  
f
= -1mA,f=200MHz  
MHz  
■ Classification of hfe  
Type  
Range  
Marking  
2SB709A- Q  
160-260  
BQ1  
2SB709A- R  
210-340  
BR1  
2SB709A- S  
290-460  
BS1  
1
www.kexin.com.cn  
12

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