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Datasheet > 2SB709A-Q

2SB709A-Q PDF预览

2SB709A-Q

更新时间： 2024-02-17 22:48:32

品牌	Logo	应用领域
科信 - KEXIN		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	1094K
描述
PNP Transistors

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技术参数
数据手册

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2SB709A-Q 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.69
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	60 MHz	Base Number Matches：	1

2SB709A-Q 数据手册

浏览型号2SB709A-Q的Datasheet PDF文件第2页

SMD Type

Transistors

PNP Transistors

2SB709A

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

■ Features

3

● For general amplification

● Complimentary to 2SD601A.

1

2

+0.1

-0.1

+0.05

-0.01

0.95

0.1

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Collector - Base Voltage

Collector - Emitter Voltage

Emitter - Base Voltage

Symbol

Rating

-45

Unit

V

VCBO

VCEO

VEBO

-45

-7

Collector Current - Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

I

C

-100

200

150

mA

P

C

mW

T

J

℃

Storage Temperature range

T

stg

-55 to 150

■ Electrical Characteristics Ta = 25℃

Parameter

Symbol

Test Conditions

Ic= -100 μA， I =0

Ic= -2 mA， I =0

= -100μA， I

Min

-45

-45

-7

Typ

Max

Unit

V

Collector- base breakdown voltage

Collector- emitter breakdown voltage

Emitter - base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Collector-Emitter cut-off current

Emitter cut-off current

VCBO

VCEO

VEBO

E

B

I

E

C

=0

ICBO

ICEO

I

EBO

V

V

V

CB= -40 V , I

CE= -20 V , I

EB= -6V , I

E

=0

=0

-0.1

-100

-0.1

-0.5

-1.2

460

2.7

uA

V

B

C

=0

Collector-emitter saturation voltage

Base - emitter saturation voltage

DC current gain

V

CE(sat)

BE(sat)

I

I

C

=-100 mA, I

B

=-10mA

=-10mA

V

C=-100 mA, I

B

hFE

V

V

V

CE= -10V, I

CB= -10V, I

^CE= -10V, I

C

= -2mA

160

60

Collector output capacitance

Transition frequency

C

ob

T

E

C

= 0,f=1MHz

pF

f

= -1mA,f=200MHz

MHz

■ Classification of hfe

Type

Range

Marking

2SB709A- Q

160-260

BQ1

2SB709A- R

210-340

BR1

2SB709A- S

290-460

BS1

1

www.kexin.com.cn

12

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与2SB709A-Q相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SB709A-Q-HF	KEXIN	PNP Transistors	获取价格
2SB709AQ-T	RECTRON	暂无描述	获取价格
2SB709AR	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 45V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| TO-236AB	获取价格
2SB709A-R	KEXIN	PNP Transistors	获取价格
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