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2SB709A

更新时间： 2024-02-28 08:28:08

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SECOS		晶体晶体管
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3页	559K
描述
PNP Silicon General Purpose Transistor

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2SB709A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.48
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	290
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SB709A 数据手册

2SB709A

PNP Silicon

General Purpose Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

SOT-23

Min

A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free

Dim

Max

FEATURES

2.800 3.040

1.200 1.400

0.890 1.110

0.370 0.500

1.780 2.040

0.013 0.100

0.085 0.177

0.450 0.600

0.890 1.020

2.100 2.500

0.450 0.600

Power Dissipation

CM : 0.2 W (Tamb = 25 C)

Top View

Collector

Base

Emitter

( A=25^o

MAXIMUM RATINGS* T

)

All Dimension in mm

Symbol

Parameter

Value

-45

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-45

-7

Collector Current -Continuous

Junction Temperature

-200

-55~150

^oC

T_J

T_stg

Storage Temperature

These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Tamb=25^ounless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN

-45

-7

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector-base cut-off current

Collector-emitter cut-off current

DC current gain

V_(BR)CBOIC=-10 µA, IE=0

V_(BR)CEOIc=-2 mA,IB=0

V_(BR)EBOI_E=-10 µA,I_C=0

I_CBO

I_CEO

h_FE

-0.1

-100

460

µA

V_CB=-20V,I_E=0

V_CE=-10V,I_B=0

V_CE=-10V, IC=-2mA

I_C=-100mA,I_B=-10mA

V_CE=-10V, IC=-1mA, f=200MHz

V_CB=-10V,I_E=0,f=1MHz

160

Collector-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

f_T

-0.5

MHz

Collector output capacitance

C_ob

2.7

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

Range

290-460

BS1

160-260

BQ1

210-340

BR1

Marking

http://www.SeCoSGmbH.com

Any changing of specification will not be informed individual

01-Jun-2002 Rev. A

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12 3

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