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2SB709A

更新时间： 2024-02-15 06:51:45

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	212K
描述
Silicon Epitaxial Planar Transistor

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2SB709A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.48
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	290
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SB709A 数据手册

BL Galaxy Electrical

Production specification

Silicon Epitaxial Planar Transistor

2SB709A

FEATURES

Lead-free

High forward current transfer ratio h_FE.

Mini type package, allowing downsizing

of the equipment and automatic insertion

through the tape packing and the magazine

packing.

APPLICATIONS

SOT-23

For general amplification complementary to 2SD601A

ORDERING INFORMATION

Type No.

2SB709A

Marking

Package Code

SOT-23

BQ1,BR1,BS1

MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Base Voltage

V_CBO

-45

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

V_CEO

V_EBO

I_C

-45

-7

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

-200

200

℃

P_C

Junction and Storage Temperature

T_j,T_stg

-55~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified

Document number: BL/SSSTC015

Rev.A

www.galaxycn.com

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