2SB709A

更新时间： 2024-01-09 11:28:17

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3页	51K
描述
Silicon PNP epitaxial planer type

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2SB709A 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.48
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	290
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	Base Number Matches：	1

2SB709A 数据手册

Transistor

2SB709A

Silicon PNP epitaxial planer type

For general amplification

Unit: mm

Complementary to 2SD601A

2.8 –⁺0⁰.^.3²

0.65±0.15

1.5 –⁺0⁰.^.0²5⁵

0.65±0.15

Features

High foward current transfer ratio h_FE

■

●

Mini type package, allowing downsizing of the equipment and

automatic insertion through the tape packing and the magazine

packing.

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–45

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

0.1 to 0.3

0.4±0.2

–45

–7

–200

–100

200

˚C

I_C

1:Base

2:Emitter

3:Collector

JEDEC:TO–236

EIAJ:SC–59

Mini Type Package

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_j

150

T_stg

–55 ~ +150

˚C

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

µA

V_CB= –20V, I_E= 0

– 0.1

–100

Collector cutoff current

I_CEO

V_CE= –10V, I_B= 0

I_C= –10µA, I_E= 0

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

–45

–7

I_C= –2mA, I_B= 0

I_E= –10µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio

h_FE

V_CE= –10V, I_C= –2mA

I_C= –100mA, I_B= –10mA

160

460

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

– 0.3

– 0.5

MHz

Transition frequency

f_T

V_CB= –10V, I_E= 1mA, f = 200MHz

V_CB= –10V, I_E= 0, f = 1MHz

Collector output capacitance

C_ob

2.7

Rank classification

Rank

h_FE

160 ~ 260

210 ~ 340

290 ~ 460

Marking Symbol

12 3

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