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2SB668_2014

更新时间： 2024-10-03 01:23:39

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB668_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB668

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High DC current gain

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·For use in power amplifier and

switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector; connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-100

-5

UNIT

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

-3

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

-5

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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