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2SB679

更新时间: 2024-09-21 06:25:31
品牌 Logo 应用领域
无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 79K
描述
isc Silicon PNP Power Transistor

2SB679 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.58
Is Samacsys:NBase Number Matches:1

2SB679 数据手册

 浏览型号2SB679的Datasheet PDF文件第2页 
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon PNP Power Transistor  
2SB679  
DESCRIPTION  
·High Power Dissipation-  
: PC= 100W(Max.)@TC=25℃  
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-  
: V(BR)CEO= -120V(Min.)  
·Complement to Type 2SC1079  
APPLICATIONS  
·Designed for audio power amplifier applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VALUE  
-120  
-120  
-5  
UNIT  
V
V
V
Collector Current-Continuous  
Emitter Current-Continuous  
-12  
A
IE  
12  
A
Collector Power Dissipation  
@TC=25  
PC  
100  
W
Tj  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
-65~150  
Tstg  
isc Websitewww.iscsemi.cn  

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