2SB688

更新时间： 2024-11-20 03:56:31

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描述
HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION

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2SB688 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	TO-3P, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	120 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	55	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	10 MHz	Base Number Matches：	1

2SB688 数据手册

UTC 2SB688

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION

FEATURES

* Complementary to 2SD718.

* Recommended for 45 ~ 50W Audio Frequency Amplifier

Output Stage.

TO-3P

1: BASE 2: COLLECTOR 3: EMITTER

*Pb-free plating product number: 2SB688L

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(Ta=25℃)

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

SYMBOL

RATINGS

UNIT

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

-120

-5

-10

Base Current

I_B

P_C

T_J

T_STG

-1

Collector Power Dissipation (T_C=25℃)

℃

Junction Temperature

Storage Temperature Range

150

-40 ~ +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(Ta=25℃)

PARAMETER

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

SYMBOL

I_CBO

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

µA

V_CB= -120V, I_E= 0

V_EB= -5V, I_C= 0

I_C= -50mA, I_B= 0

V_CE= -5V, I_C= -1A

I_C= -5A, I_B= -0.5A

V_CE= -5A, I_C= -5A

V_CE= -5A, I_C= -1A

-10

I_EBO

µA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

DC Current Gain

V_(BR)CEO

-120

h_FE

160

-2.5

-1.5

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Voltage

V_CE(sat)

V_BE

MHz

Transition Frequency

f_T

C_ob

280

Collector Output Capacitance

V_CB= -10V, I_E= 0, f=1MHz

CLASSIFICATION OF hFE

RANK

RANGE

55 ~ 110

80 ~ 160

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.

www.unisonic.com

QW-R214-007,A

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