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2SB688

更新时间： 2024-02-27 03:32:25

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SAVANTIC		晶体晶体管
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4页	176K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB688 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	10 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	55
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	80 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

2SB688 数据手册

SavantIC Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB688

DESCRIPTION

·With TO-3P(I) package

·Complement to type 2SD718

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommend for 45~50W audio frequency

amplifier output stage

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25ꢀ )

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-120

-5

UNIT

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

-8

I_B

Base current

-0.8

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25ꢀ

ꢀ

T_j

150

T_stg

-55~150

ꢀ

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