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2SB686_2014

更新时间： 2024-01-30 15:18:16

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锦美电子 - JMNIC		/
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描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB686_2014 数据手册

JMnic

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB686

DESCRIPTION

·With TO-3P(I) package

·Complement to type 2SD716

APPLICATIONS

·Power amplifier applications

·Recommend for 30~35W high-fidelity

audio frequency amplifier output stage

PINNING

DESCRIPTION

Emitter

Collector;connected to

mounting base

Fig.1 simplified outline (TO-3P(I)) and symbol

Base

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

-100

-5

UNIT

Open emitter

Open base

Open collector

-6

I_E

Emitter current

P_T

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3 4

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