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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.61 | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 55 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB688_15 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB688_2014 | JMNIC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB688A-O-AB-N-B | JSMC |
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Power Amplifier Applications |
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| 2SB688A-O-W-N-B | JSMC |
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Power Amplifier Applications |
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| 2SB688B-O-AB-N-B | JSMC |
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Power Amplifier Applications |
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| 2SB688B-O-W-N-B | JSMC |
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Power Amplifier Applications |
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| 2SB688C-O-AB-N-B | JSMC |
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Power Amplifier Applications |
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| 2SB688C-O-W-N-B | JSMC |
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Power Amplifier Applications |
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| 2SB688L | UTC |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SB688LO | UTC |
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Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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