5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | TO-3P, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.34 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB688-O-AB-N-B | JSMC |
获取价格 |
Power Amplifier Applications |
|
| 2SB688OL | UTC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SB688-O-W-N-B | JSMC |
获取价格 |
Power Amplifier Applications |
|
| 2SB688R | MOSPEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR |
|
| 2SB688R | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SB689 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistor |
|
| 2SB689 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
| 2SB690 | ETC |
获取价格 |
LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complementary pair with 2SD726 |
|
| 2SB691 | ISC |
获取价格 |
isc Silicon PNP Power Transistor |
|
| 2SB691 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
