Datasheet > 2SB691

2SB691

更新时间： 2024-11-24 07:30:11

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	93K
描述
isc Silicon PNP Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB691 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB691

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -80V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SD727

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier and power

switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-130

-80

UNIT

-5

Collector Current-Continuous

-5

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

中文翻译

下载PDF

与2SB691相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB695	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB695	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistor
2SB696	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB696	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB697	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB697	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB697	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB697_15	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB697_2014	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB697D	ISC	获取价格	Transistor