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2SB695

更新时间： 2024-11-24 06:20:23

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	220K
描述
Silicon PNP Power Transistor

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2SB695 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB695

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -120V(Min)

·Good Linearity of h_FE

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SD731

APPLICATIONS

·Designed for power amplifier and general purpose

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-170

-120

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

-7

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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