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2SB696

更新时间： 2024-11-24 06:20:03

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	200K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB696 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistors

2SB696

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -120V(Min)

·High Current Capability

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SD732

APPLICATIONS

·Designed for AF power amplifier applications.

·Recommended for output stage of 60W power amplifier.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-150

-120

-6

UNIT

Collector Current-Continuous

Emitter Current-Peak

-8

I_CM

-12

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-40~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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