2SB703R

更新时间： 2024-11-20 13:04:11

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2SB703R 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB703

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -80V(Min)

·DC Current Gain-

: h_FE= 40~200 @I_C= -0.5A

·Complement to Type 2SD743

APPLICATIONS

·Designed for use in audio frequency power amplifier, low

speed switching applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-80

UNIT

-80

-5

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

-4

I_CM

-6

I_B

-1

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

3.125

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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