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2SB688B-O-W-N-B

更新时间： 2024-11-25 00:57:51

品牌	Logo	应用领域
华微电子 - JSMC		/
页数	文件大小	规格书
5页	331K
描述
Power Amplifier Applications

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2SB688B-O-W-N-B 数据手册

PNP 硅外延晶体管

PNP Epitaxial Silicon Transistor

2SB688 SERIES

APPLICATIONS

用途

应用于功率放大器

 Power Amplifier Applications

产品特性

高集电极电压：V_CEO=140V (min)

V_CEO=180V (min)

FEATURES

High collector voltage：V_CEO=140V (min)

V_CEO=180V (min)

与 2SD718 互补

Complementary to 2SD718

Recommended for 45-50W audio frequency

amplifier output

推荐用于 45-50W 音响频率放大器输出电路

环保（RoHS）产品

封装 Package

RoHS product

TO-247

TO-3PB

基极 BASE

3 发射极 EMITTER

集电极（热沉）

COLLECTOR (HEAT SINK)

订货信息 ORDER MESSAGE

订货型号

印

记

无卤素

Halogen Free

封

装

包

装

器件重量

Order codes

Marking

2SB688

Package

TO-247

TO-3PB

TO-247

TO-3PB

TO-247

TO-3PB

TO-247

TO-3PB

Packaging

条管 Tube

Weight

2SB688 -O-W-N-B

2SB688 -O-AB-N-B

2SB688A-O-W-N-B

2SB688A-O-AB-N-B

2SB688B-O-W-N-B

2SB688B-O-AB-N-B

2SB688C-O-W-N-B

2SB688C-O-AB-N-B

否

6.00g(typ)

5.10g(typ)

6.00g(typ)

5.10g(typ)

6.00g(typ)

5.10g(typ)

6.00g(typ)

5.10g(typ)

版本：201602A

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2SB688C-O-AB-N-B	JSMC	获取价格	Power Amplifier Applications
2SB688C-O-W-N-B	JSMC	获取价格	Power Amplifier Applications
2SB688L	UTC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB688LO	UTC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB688LR	UTC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB688O	MOSPEC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 120V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-247VAR
2SB688O	UTC	获取价格	Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB688-O-AB-N-B	JSMC	获取价格	Power Amplifier Applications
2SB688OL	UTC	获取价格	Transistor
2SB688-O-W-N-B	JSMC	获取价格	Power Amplifier Applications