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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | LEAD FREE, TO-3P, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 55 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 10 MHz |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB688LO | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SB688LR | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| 2SB688O | MOSPEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR |
|
| 2SB688O | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SB688-O-AB-N-B | JSMC |
获取价格 |
Power Amplifier Applications |
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| 2SB688OL | UTC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SB688-O-W-N-B | JSMC |
获取价格 |
Power Amplifier Applications |
|
| 2SB688R | MOSPEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-247VAR |
|
| 2SB688R | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| 2SB689 | ISC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistor |
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