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2SB681

更新时间： 2024-01-17 18:19:22

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	70K
描述
isc Silicon PNP Power Transistor

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2SB681 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Power Transistor

2SB681

DESCRIPTION

·High Current Capability

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -150V(Min.)

APPLICATIONS

·For AF power amplifier use.

·Recommended for use in output stage of 80 watts power

amplifier .

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-150

-6

UNIT

Collector Current-Continuous

-12

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

P_C

100

℃

T_j

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-55~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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