2SB675

更新时间： 2024-02-11 16:06:16

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	98K
描述
Silicon PNP Power Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB675 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

2SB675 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB674

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·DARLINGTON

·High DC current gain

·Low collector saturation voltage

·Complement to type 2SD634

APPLICATIONS

·High power switching applications

·Hammer drive,pulse motor drive applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-80

UNIT

Open base

-80

Open collector

-5

-7

I_B

Base current

-0.2

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SB675相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB676	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB676	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB676	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB676_15	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB676_2014	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB677	ISC	获取价格	Silicon PNP Darlington Power Transistor
2SB677	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB678	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| TO-39
2SB679	ISC	获取价格	isc Silicon PNP Power Transistor
2SB679Y	ISC	获取价格	Transistor