2SB673

更新时间： 2024-02-17 00:42:49

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	107K
描述
isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

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2SB673 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Base Number Matches：	1

2SB673 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon PNP Darlington Power Transistor

2SB673

DESCRIPTION

·High DC Current Gain-

: h_FE= 2000(Min)@ I_C= -3A

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= -100V(Min)

·Low Collector Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= -1.5V(Max)@ I_C= -3A

·Complement to Type 2SD633

APPLICATIONS

·High power switching applications.

·Hammer drive, pulse motor drive applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

-100

-5

UNIT

Collector Current-Continuous

Base Current-DC

-7

I_B

-0.2

Collector Power Dissipation

T_C=25℃

P_C

℃

T_j

Junction Temperature

150

T_stg

Storage Temperature Range

-55~150

isc Website：www.iscsemi.cn

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