2SB674

更新时间： 2024-01-04 00:23:42

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	98K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB674 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.85
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	7 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SB674 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB674

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·DARLINGTON

·High DC current gain

·Low collector saturation voltage

·Complement to type 2SD634

APPLICATIONS

·High power switching applications

·Hammer drive,pulse motor drive applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector;connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Tc=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-80

UNIT

Open base

-80

Open collector

-5

-7

I_B

Base current

-0.2

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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