2SB676

更新时间： 2024-01-16 14:52:23

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	41K
描述
Silicon PNP Power Transistors

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2SB676 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.79
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SB676 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon PNP Power Transistors

2SB676

DESCRIPTION

·With TO-220C package

·High DC Current Gain

: h_FE=2000 @V_CE=-2V, I_C=-1A (Min.)

·DARLINGTON

APPLICATIONS

·For switching applications

·Hammer drive, pulse motor drive applications

·Power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector; connected to

mounting base

Emitter

Absolute maximum ratings(Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

-100

-80

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current-DC

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Open base

Open collector

-5

-4

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

T_stg

-55~150

12 3

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