2SB1320

更新时间： 2024-10-13 22:52:39

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松下 - PANASONIC		/
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3页	76K
描述
Silicon PNP epitaxial planer type

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2SB1320 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.92
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.4 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz

2SB1320 数据手册

Transistors

2SB1320A

Silicon PNP epitaxial planer type

Unit: mm

For general amplification

6.9 0.1

4.0

2.5 0.1

1.05

0.05

(1.45)

0.8

0.7

Complementary to 2SD1991A

I Features

0.65 max.

• High forward current transfer ratio h_FE

• Allowing supply with the radial taping

0.45⁺−⁰0.^.0¹5

2.5 0.5 2.5 0.5

I Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Rating

−60

Unit

Note) In addition to the

lead type shown in

the upper figure,

the type as shown

in the lower figure

is also available.

1: Emitter

2: Collector

3: Base

−50

−7

MT1 Type Package

−200

−100

400

°C

I_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_j

150

1.2 0.1

T_stg

−55 to +150

°C

0.65

max.

0.1

0.45_−0.05

(HW Type)

I Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

−1

Unit

µA

Collector cutoff current

V_CB= −20 V, I_E= 0

I_CEO

V_CE= −20 V, I_B= 0

−1

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CBO

V_CEO

V_EBO

h_FE

I_C= −10 µA, I_E= 0

−60

−50

−7

I_C= −2 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

Forward current transfer ratio ^*

Collector to emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE= −10 V, I_C= −2 mA

I_C= −100 mA, I_B= −10 mA

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

160

460

V_CE(sat)

f_T

−1

MHz

Collector output capacitance

C_ob

3.5

Note) : Rank classification

Rank

No-rank

h_FE

160 to 260

210 to 340

290 to 460

160 to 460

Product of no-rank is not classified and have no indication for rank.

12 3

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与2SB1320相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1320A	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type
2SB1320A-HW	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1320AQ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SIP
2SB1320AR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SIP
2SB1320AS	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SIP
2SB1320A-SZ	PANASONIC	获取价格	暂无描述
2SB1320Q	PANASONIC	获取价格	暂无描述
2SB1320R	PANASONIC	获取价格	暂无描述
2SB1320S	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT-1-A1
2SB1321	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT1, 3

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