5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SB1322A
2SB1322A PDF预览

2SB1322A

更新时间： 2024-11-20 07:30:03
品牌 Logo 应用领域
SECOS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 79K
描述
PNP Plastic Encapsulated Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SB1322A 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.48Base Number Matches：1

2SB1322A 数据手册

  
2SB1322A  
-1A , -60V  
PNP Plastic Encapsulated Transistor  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
TO-92  
FEATURES  
G
H
Allow Supply with The Radial Taping  
Emitter  
Collector  
Base  
J
A
D
CLASSIFICATION OF hFE (1)  
Millimeter  
REF.  
Min.  
4.40  
4.30  
12.70  
3.30  
0.36  
0.36  
Max.  
4.70  
4.70  
-
3.81  
0.56  
0.51  
Product-Rank 2SB1322A-Q 2SB1322A-R 2SB1322A-S  
B
A
B
C
D
E
F
K
Range 85~170 120~240 170~340  
G
H
J
1.27 TYP.  
E
C
F
1.10  
2.42  
0.36  
-
2.66  
0.76  
K
Collector  
  
  
Base  
  
Emitter  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector to Base Voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
-60  
V
V
Collector to Emitter Voltage  
-50  
Emitter to Base Voltage  
-5  
-1  
V
Collector Current - Continuous  
Collector Power Dissipation  
A
PC  
0.625  
W
Thermal Resistance From Junction to Ambient  
Junction, Storage Temperature  
RθJA  
TJ, TSTG  
200  
°C / W  
°C  
150, -55~150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test condition  
Collector to Base Breakdown Voltage  
Collector to Emitter Breakdown Voltage  
Emitter to Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-60  
-50  
-5  
-
-
-
-
V
V
IC= -0.01mA, IE=0  
IC= -2mA, IB=0  
-
-
-
V
IE= -0.01mA, IC=0  
VCB= -20V, IE=0  
-
-0.1  
-0.1  
340  
-
μA  
μA  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
-
-
VEB= -5V, IC=0  
hFE (1)  
hFE (2)  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
Ccb  
85  
50  
-
-
VCE= -10V, IC= -0.5A  
VCE= -5V, IC= -1A  
IC= -0.5A, IB= -0.05A  
IC= -0.5A, IB= -0.05A  
VCB = -10V, IE=0, f=1MHz  
DC Current Gain  
-
Collector to Emitter Saturation Voltage  
Base to Emitter Saturation Voltage  
Collector-Base Capacitance  
Transition Frequency  
-
-0.4  
-1.2  
30  
-
V
V
-
-
-
-
pF  
fT  
-
200  
MHz VCE = -10V, IC = -0.05A, f=200MHz  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
14-Feb-2011 Rev. A  
Page 1 of 1  
1

中文翻译

下载PDF

与2SB1322A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1322A-HW PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1322AQ ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SIP
2SB1322AR ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SIP
2SB1322AS ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 1A I(C) | SIP
2SB1322A-SZ PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
2SB1322S PANASONIC

获取价格

 		暂无描述
2SB1323 TYSEMI

获取价格

 		Low saturation voltage. Contains diode between collector and emitter.
2SB1323 SANYO

获取价格

 		Compact Motor Driver Applications
2SB1323 KEXIN

获取价格

 		PNP Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SB1324 TYSEMI

获取价格

 		Low saturation voltage. Contains diode between collector and emitter.

与2SB1322A相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证