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2SB1320S

更新时间： 2024-11-20 21:19:39
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 244K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT-1-A1, 3 PIN

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2SB1320S 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.86
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：290
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzBase Number Matches：1

2SB1320S 数据手册

 浏览型号2SB1320S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1320S的Datasheet PDF文件第3页 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Transistors  
2SB1320  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For low frequency power amplification  
Complementary to 2SD1991  
Package  
ꢀCode  
Features  
Allowing supply with the radial taping  
MT-1-A1  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
ꢀPin Nam
1. Em
2. Coll
se  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
–30  
Un
V
–25  
V
–7  
V
–
–200  
400  
mA  
mA  
mW  
°C  
Peak collector current  
I
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
Tj  
15
Storage temperature  
T
stg  
–55 o +150  
°C  
Electrical Characeristcs Ta = 25°C
Pameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Colleto-base vEmitter open)  
Collectr-emtter voltage (Base open)  
Emitter-bse voltage (Collector open)  
Colector-base rrent Emitter open)  
Collector-eent (Base open)  
Forward currenio *  
VCBO IC = –10 mA, IE = 0  
VCEO IC = –2 mA, IB = 0  
VEBO IE = –10 mA, IC = 0  
–30  
–25  
–7  
V
V
ICBO  
ICEO  
hFE  
VB = –20 V, IE = 0  
VCB = –20 V, IB = 0  
VCE = –10 V, IC = –2 mA  
–1  
–1  
mA  
mA  
160  
460  
–1  
Collector-emitter satation voltage  
Transition frequency  
VCE(sat) IC = –100 mA, IB = –10 mA  
V
fT  
VCB = –10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz  
80  
MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = –10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
3.5  
pF  
(Common base, input open circuited)  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
Q
R
S
hFE  
160 to 260  
210 to 340  
290 to 460  
Publication date : October 2008  
SJC00430AED  
1
123

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与2SB1320S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1321 PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, MT1, 3
2SB1321A PANASONIC

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 		Silicon PNP epitaxial planer type
2SB1321A-HW PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
2SB1321AQ ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP
2SB1321AR ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP
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 		Plastic-Encapsulated Transistors

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