2SB1252

更新时间： 2024-11-16 22:45:07

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数	文件大小	规格书
3页	78K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SB1252 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	5000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1252 数据手册

Power Transistors

2SB1252

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington

For power amplification

Unit: mm

4.2±0.2

10.0±0.2

5.5±0.2

Complementary to 2SD1892

2.7±0.2

Features

Optimum for 35W HiFi output

■

φ3.1±0.1

●

High foward current transfer ratio h_FE: 5000 to 30000

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat): < 2.5V

●

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

1.3±0.2

1.4±0.1

one screw

+0.2

–0.1

0.5

0.8±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

2.54±0.25

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

–120

5.08±0.5

1:Base

–100

2:Collector

3:Emitter

–5

TO–220 Full Pack Package(a)

–8

I_C

–5

Internal Connection

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–100

Unit

µA

V_CB= –120V, I_E= 0

Collector cutoff current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

h_FE1

V_CE= –100V, I_B= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

Emitter cutoff current

Collector to emitter voltage

I_C= –30mA, I_B= 0

–100

2000

5000

V_CE= –5V, I_C= –1A

V_CE= –5V, I_C= –4A

I_C= –4A, I_B= –4mA

V_CE= –10V, I_C= – 0.5A, f = 1MHz

Forward current transfer ratio

h_FE2

30000

–2.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

–3.0

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

1.0

0.8

1.0

MHz

µs

I_C= –4A, I_B1= –4mA, I_B2= 4mA,

V_CC= –50V

µs

^*h_FE2Rank classification

Rank

h_FE2

5000 to 15000 8000 to 30000

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SB1252相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SB1252P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SOT-186
2SB1252Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 100V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| SOT-186
2SB1253	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
2SB1253P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 110V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-247VAR
2SB1253Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| PNP \| 110V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-247VAR
2SB1254	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
2SB1254	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1254	ISC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1254	SAVANTIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors
2SB1254_15	JMNIC	获取价格	Silicon PNP Power Transistors

与2SB1252相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB1252

2SB1252 技术参数

2SB1252 数据手册

与2SB1252相关器件

与2SB1252相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SB1252

2SB1252 技术参数

2SB1252 数据手册

与2SB1252相关器件

与2SB1252相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？