2SB1255

更新时间： 2024-11-17 22:45:07

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率双极晶体管
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3页	77K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)

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2SB1255 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-92
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.76
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	8 A
集电极-发射极最大电压：	140 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	5000	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

2SB1255 数据手册

Power Transistors

2SB1255

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington

For power amplification

Unit: mm

Complementary to 2SD1895

15.0±0.3

11.0±0.2

5.0±0.2

3.2

Features

Optimum for 90W HiFi output

■

●

φ3.2±0.1

2.0±0.2

●

High foward current transfer ratio h_FE: 5000 to 30000

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat): < –2.5V

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

●

2.0±0.1

0.6±0.2

one screw

1.1±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

5.45±0.3

10.9±0.5

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

–160

–140

–8

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

1:Base

2:Collector

3:Emitter

TOP–3 Full Pack Package(a)

–12

I_C

–15

Internal Connection

Collector power T_C=25°C

100

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

–100

Unit

µA

V_CB= –160V, I_E= 0

Collector cutoff current

I_CEO

I_EBO

V_CEO

h_FE1

V_CE= –140V, I_B= 0

V_EB= –5V, I_C= 0

Emitter cutoff current

Collector to emitter voltage

I_C= –30mA, I_B= 0

–140

2000

5000

V_CE= –5V, I_C= –1A

V_CE= –5V, I_C= –7A

I_C= –7A, I_B= –7mA

V_CE= –10V, I_C= – 0.5A, f = 1MHz

Forward current transfer ratio

h_FE2

30000

–2.5

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

–3.0

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

1.0

1.5

1.2

MHz

µs

I_C= –7A, I_B1= –7mA, I_B2= 7mA,

V_CC= –50V

µs

^*h_FE2Rank classification

Rank

h_FE2

5000 to 15000 8000 to 30000

12 3

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