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2SB1255P

更新时间： 2024-11-20 21:16:15
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 89K
描述
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, TOP-3F-A1, SC-92, FULL PACK-3

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2SB1255P 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-92
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.77
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：140 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：8000
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：20 MHzBase Number Matches：1

2SB1255P 数据手册

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Power Transistors  
2SB1255  
Silicon PNP epitaxial planar type darlington  
Unit: mm  
5.0 0.2  
For power amplification  
15.0 0.3  
11.0 0.2  
(3.2)  
Complementary to 2SD1895  
φ 3.2 0.1  
■ Features  
• Optimum for 90 W HiFi output  
• High forward current transfer ratio hFE  
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one  
screw  
2.0 0.2  
2.0 0.1  
0.6 0.2  
1.1 0.1  
5.45 0.3  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
10.9 0.5  
2
1: Base  
2: Collector  
3: Emitter  
Parameter  
Symbol  
Rating  
−160  
−140  
−5  
Unit  
V
1
3
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
EIAJ: SC-92  
TOP-3F-A1 Package  
V
V
Internal Connection  
Collector current  
IC  
ICP  
PC  
−8  
A
C
E
Peak collector current  
Collector power dissipation  
−15  
A
100  
W
B
Ta = 25°C  
3
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCEO  
ICBO  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
IC = −30 mA, IB = 0  
−140  
VCB = −160 V, IE = 0  
VCE = −140 V, IB = 0  
VEB = −5 V, IC = 0  
−100  
−100  
−100  
µA  
µA  
µA  
ICEO  
IEBO  
hFE1  
VCE = −5 V, IC = −1 A  
VCE = −5 V, IC = −7 A  
2000  
5000  
*
hFE2  
30 000  
−2.5  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
Turn-on time  
VCE(sat) IC = −7 A, IB = −7 mA  
VBE(sat) IC = −7 A, IB = −7 mA  
V
V
−3.0  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = −10 V, IC = − 0.5 A, f = 1 MHz  
20  
1.0  
1.5  
1.2  
MHz  
µs  
IC = −7 A, IB1 = −7 mA, IB2 = 7 mA  
VCC = −50 V  
Storage time  
µs  
Fall time  
µs  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
Q
S
P
hFE2  
5000 to 15000 7000 to 21000 8000 to 30000  
Publication date: March 2003  
SJD00064BED  
1
1234

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与2SB1255P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1255Q ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 140V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-247VAR
2SB1255S PANASONIC

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 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1256 ROHM

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 		1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE
2SB1256A ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92
2SB1256B ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92
2SB1256C ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92
2SB1256T103 ROHM

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, Plastic/
2SB1256T103B ROHM

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-92L, 3 PIN
2SB1257 ISC

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 		Silicon PNP Power Transistors
2SB1257 SANKEN

获取价格

 		Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Driver for Solenoid, Relay and Motor and General P

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