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2SB1258

更新时间： 2024-11-17 22:52:39
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体继电器晶体管功率双极晶体管开关电机驱动局域网
页数 文件大小 规格书
1页 28K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Driver for Solenoid, Relay and Motor and General Purpose)

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2SB1258 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220F, FM20, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.24Is Samacsys：N
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.033外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：6 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：1000
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

2SB1258 数据手册

  
E
C
(3kΩ)(100Ω)  
B
Darlington 2 S B1 2 5 8  
Equivalent circuit  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SD1785)  
Application : Driver for Solenoid, Relay and Motor and General Purpose  
External Dimensions FM20(TO220F)  
■Absolute maximum ratings  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
(Ta=25°C)  
Symbol  
2SB1258  
Symbol  
ICBO  
2SB1258  
Unit  
Conditions  
Unit  
µA  
µA  
V
±0.2  
4.2  
±0.2  
10.1  
c
0.5  
2.8  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
–100  
–10max  
–10max  
–100min  
1000min  
–1.5max  
–2max  
VCB=–100V  
V
–100  
IEBO  
VEB=–6V  
V
V(BR)CEO  
hFE  
–6  
IC=–10mA  
V
±0.2  
ø3.3  
a
b
–6(Pulse–10)  
–1  
VCE=–2V, IC=–3A  
IC=–3A, IB=–6mA  
IC=–3A, IB=–6mA  
VCE=–12V, IE=0.2A  
VCB=–10V, f=1MHz  
A
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
A
PC  
30(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
±0.15  
1.35  
Tj  
100typ  
MHz  
pF  
±0.15  
1.35  
100typ  
Tstg  
COB  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
0.85  
+0.2  
-0.1  
0.45  
±0.2  
2.4  
2.54  
2.54  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
±0.2  
2.2  
Weight : Approx 2.0g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
VCC  
(V)  
RL  
IC  
VBB1  
VBB2  
(V)  
IB1  
IB2  
ton  
tstg  
tf  
(Ω)  
(A)  
(mA)  
(µs)  
(µs)  
(µs)  
(V)  
(mA)  
B
C E  
–30  
10  
–3  
–10  
5
–6  
6
0.6typ  
1.6typ  
0.5typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=–4V)  
–6  
–5  
–4  
–6  
–3  
–5  
–4  
–3  
–2  
–0.9mA  
–3  
–2  
–2  
–1  
0
–6A  
–4A  
IC=–2A  
–1  
–1  
0
–0.6  
–0.5 –1  
0
–1  
–2  
–3  
–4  
–5  
–6  
–10  
Base Current IB(mA)  
–100 –200  
0
–1  
–2 –2.2  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=–4V)  
(VCE=–4V)  
5
8000  
5000  
8000  
Typ  
5000  
1000  
500  
1000  
500  
1
100  
30  
80  
0.5  
1
10  
100  
1000  
–0.03  
–0.1  
–0.5  
–1  
–6  
–0.03  
–0.1  
–0.5  
–1  
–6  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
30  
20  
10  
120  
100  
80  
–20  
–10  
–5  
Natural Cooling  
Typ  
Silicone Grease  
Heatsink: Aluminum  
in mm  
150x150x2  
100x100x2  
60  
–1  
–0.5  
40  
50x50x2  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
20  
0
–0.1  
Without Heatsink  
2
0
–0.05  
–3  
–5  
–10  
–50  
–100 –200  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
6
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
39  
1

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