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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92L | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 2 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 1.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SB1256A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92 |
|
| 2SB1256B | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92 |
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| 2SB1256C | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-92 |
|
| 2SB1256T103 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, Plastic/ |
|
| 2SB1256T103B | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, TO-92, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-92L, 3 PIN |
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| 2SB1257 | ISC |
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Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1257 | SANKEN |
获取价格 |
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Driver for Solenoid, Relay and Motor and General P |
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| 2SB1257 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1257 | JMNIC |
获取价格 |
Silicon PNP Power Transistors |
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| 2SB1257 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans Darlington PNP 60V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F |
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