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2SB1257

更新时间： 2024-11-17 22:52:39
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体继电器晶体管功率双极晶体管电机驱动
页数 文件大小 规格书
1页 29K
描述
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Driver for Solenoid, Relay and Motor and General Purpose)

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2SB1257 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220F, FM20, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.26其他特性：BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 0.325
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：2000JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：25 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

2SB1257 数据手册

  
E
C
(2kΩ)(650Ω)  
B
Darlington 2 S B1 2 5 7  
Equivalent circuit  
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SD2014)  
Application : Driver for Solenoid, Relay and Motor and General Purpose  
External Dimensions FM20(TO220F)  
■Absolute maximum ratings (Ta=25°C)  
■Electrical Characteristics  
(Ta=25°C)  
Symbol  
2SB1257  
Symbol  
ICBO  
2SB1257  
–10max  
–10max  
–60min  
2000min  
–1.5max  
–2max  
Conditions  
±0.2  
Unit  
Unit  
µA  
µA  
V
5.5  
±0.2  
15.6  
±0.2  
3.45  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
–60  
VCB=–60V  
V
–60  
IEBO  
VEB=–6V  
V
–6  
V(BR)CEO  
hFE  
IC=–10mA  
V
±0.2  
ø3.3  
–4(Pulse–6)  
–1  
VCE=–4V, IC=–3A  
IC=–3A, IB=–6mA  
IC=–3A, IB=–6mA  
VCE=–12V, IE=0.2A  
VCB=–10V, f=1MHz  
a
b
A
IB  
VCE(sat)  
VBE(sat)  
fT  
V
V
A
PC  
25(Tc=25°C)  
150  
W
°C  
°C  
1.75  
2.15  
0.8  
Tj  
150typ  
MHz  
pF  
Tstg  
COB  
75typ  
–55 to +150  
+0.2  
-0.1  
1.05  
+0.2  
±0.1  
1.5  
±0.1  
0.65  
-0.1  
5.45  
5.45  
1.5  
3.35  
■Typical Switching Characteristics (Common Emitter)  
4.4  
C
Weight : Approx 2.0g  
a. Type No.  
b. Lot No.  
VCC  
(V)  
RL  
(Ω)  
IC  
(A)  
VBB1  
(V)  
VBB2  
(V)  
IB1  
(mA)  
IB2  
(mA)  
ton  
(µs)  
tstg  
(µs)  
tf  
(µs)  
B
E
–30  
10  
–3  
–10  
5
–10  
10  
0.4typ  
0.8typ  
0.6typ  
–
–
–
IC VCE Characteristics (Typical)  
VCE(sat) IB Characteristics (Typical)  
IC VBE Temperature Characteristics (Typical)  
(VCE=–2V)  
–6  
–5  
–4  
–4  
–3  
–3  
–2  
–1  
0
–2  
–0.8mA  
–3  
–2  
–3A  
–1  
–2A  
IC=–1A  
–1  
0
–0.6  
–0.2  
0
–1  
–2  
–3  
–4  
–5  
–6  
–0.5  
–1  
–5  
–10  
–50  
0
–1  
–2 –2.2  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Base Current IB(mA)  
Base-Emittor Voltage VBE(V)  
–
–
–
hFE IC Characteristics (Typical)  
hFE IC Temperature Characteristics (Typical)  
θ
j-a t Characteristics  
(VCE=–2V)  
(VCE=–2V)  
5
8000  
5000  
8000  
5000  
Typ  
1000  
500  
1000  
500  
100  
50  
100  
50  
1
20  
20  
0.7  
1
10  
100  
1000  
–0.02 –0.05 –0.1  
–0.5  
–1  
–5 –6  
–0.02  
–0.1  
–0.5  
–1  
–5–6  
Time t(ms)  
Collector Current IC(A)  
Collector Current IC(A)  
–
fT IE Characteristics (Typical)  
Safe Operating Area (Single Pulse)  
–
Pc Ta Derating  
(VCE=–12V)  
25  
20  
240  
200  
160  
120  
–10  
–5  
Natural Cooling  
Silicone Grease  
Heatsink: Aluminum  
in mm  
Typ  
150x150x2  
100x  
–1  
–0.5  
10  
80  
40  
0
50x50x2  
Without Heatsink  
Natural Cooling  
Without Heatsink  
–0.1  
2
0
–0.07  
–3  
–5  
–10  
–70  
0.05  
0.1  
0.5  
1
4
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Collector-Emitter Voltage VCE(V)  
Ambient Temperature Ta(˚C)  
Emitter Current IE(A)  
38  
1

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