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2SB1254S

更新时间： 2024-11-18 20:09:07
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 89K
描述
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, SC-92, TOP-3F-A1, FULL PACK-3

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2SB1254S 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-92
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.77
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：140 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：7000JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：70 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

2SB1254S 数据手册

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Power Transistors  
2SB1254  
Silicon PNP epitaxial planar type darlington  
Unit: mm  
5.0 0.2  
For power amplification  
15.0 0.3  
11.0 0.2  
(3.2)  
Complementary to 2SD1894  
φ 3.2 0.1  
■ Features  
• Optimum for 60 W HiFi output  
• High forward current transfer ratio hFE  
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one  
screw  
2.0 0.2  
2.0 0.1  
0.6 0.2  
1.1 0.1  
5.45 0.3  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
10.9 0.5  
2
1: Base  
2: Collector  
3: Emitter  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
1
3
Collector-base voltage (Emitter open) VCBO  
Collector-emitter voltage (Base open) VCEO  
Emitter-base voltage (Collector open) VEBO  
−160  
EIAJ: SC-92  
TOP-3F-A1 Package  
−140  
V
−5  
V
Internal Connection  
Collector current  
IC  
ICP  
PC  
−7  
A
C
E
Peak collector current  
Collector power dissipation  
−12  
A
70  
W
B
Ta = 25°C  
3
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
■ Electrical Characteristics TC = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VCEO  
ICBO  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
IC = −30 mA, IB = 0  
−140  
VCB = −160 V, IE = 0  
VCE = −140 V, IB = 0  
VEB = −5 V, IC = 0  
−100  
−100  
−100  
µA  
µA  
µA  
ICEO  
IEBO  
hFE1  
VCE = −5 V, IC = −1 A  
VCE = −5 V, IC = −6 A  
2000  
5000  
*
hFE2  
30 000  
−2.5  
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
Turn-on time  
VCE(sat) IC = −6 A, IB = −6 mA  
VBE(sat) IC = −6 A, IB = −6 mA  
V
V
−3.0  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = −10 V, IC = − 0.5 A, f = 1 MHz  
20  
1.0  
1.5  
1.2  
MHz  
µs  
IC = −6 A, IB1 = −6 mA, IB2 = 6 mA  
VCC = −50 V  
Storage time  
µs  
Fall time  
µs  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : Rank classification  
*
Rank  
Q
S
P
hFE2  
5000 to 15000 7000 to 21000 8000 to 30000  
Publication date: March 2003  
SJD00063BED  
1
1234

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与2SB1254S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1255 PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)
2SB1255 JMNIC

获取价格

 		Silicon PNP Darlington Power Transistors
2SB1255 SAVANTIC

获取价格

 		Silicon PNP Darlington Power Transistors
2SB1255 ISC

获取价格

 		Silicon PNP Darlington Power Transistors
2SB1255_15 JMNIC

获取价格

 		Silicon PNP Darlington Power Transistors
2SB1255_2014 JMNIC

获取价格

 		Silicon PNP Darlington Power Transistors
2SB1255P PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1255Q ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | PNP | 140V V(BR)CEO | 7A I(C) | TO-247VAR
2SB1255S PANASONIC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy,
2SB1256 ROHM

获取价格

 		1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE

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