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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> 2SB1253
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2SB1253

更新时间： 2024-11-16 22:45:07
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
3页 77K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification)

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2SB1253 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3-3L
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：6 A
集电极-发射极最大电压：110 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：5000JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：3 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
Base Number Matches：1

2SB1253 数据手册

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Power Transistors  
2SB1253  
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington  
For power amplification  
Unit: mm  
Complementary to 2SD1893  
15.0±0.3  
11.0±0.2  
5.0±0.2  
3.2  
Features  
Optimum for 40W HiFi output  
■
●
φ3.2±0.1  
2.0±0.2  
●
High foward current transfer ratio hFE: 5000 to 30000  
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat): < –2.5V  
Full-pack package which can be installed to the heat sink with  
●
●
2.0±0.1  
0.6±0.2  
one screw  
1.1±0.1  
Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)  
■
C
5.45±0.3  
10.9±0.5  
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
–130  
1
2
3
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
–110  
V
–5  
V
TOP–3 Full Pack Package(a)  
–10  
A
IC  
–6  
A
Internal Connection  
Collector power TC=25°C  
50  
C
E
PC  
W
dissipation  
Ta=25°C  
3
B
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
˚C  
˚C  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics (T =25˚C)  
■
C
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
–100  
–100  
–100  
Unit  
µA  
µA  
µA  
V
VCB = –130V, IE = 0  
Collector cutoff current  
ICEO  
IEBO  
VCEO  
hFE1  
VCE = –110V, IB = 0  
VEB = –5V, IC = 0  
Emitter cutoff current  
Collector to emitter voltage  
IC = –30mA, IB = 0  
–110  
2000  
5000  
VCE = –5V, IC = –1A  
VCE = –5V, IC = –5A  
IC = –5A, IB = –5mA  
IC = –5A, IB = –5mA  
VCE = –10V, IC = – 0.5A, f = 1MHz  
Forward current transfer ratio  
*
hFE2  
30000  
–2.5  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
Base to emitter saturation voltage VBE(sat)  
V
V
–3.0  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
20  
0.9  
2.5  
1.7  
MHz  
µs  
IC = –5A, IB1 = –5mA, IB2 = 5mA,  
VCC = –50V  
µs  
µs  
*hFE2 Rank classification  
Rank  
hFE2  
Q
P
5000 to 15000 8000 to 30000  
1
123

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